助力“新基建”提速,第三代半导体工业需“错位开展”防泡沫

助力“新基建”提速,第三代半导体工业需“错位开展”防泡沫
“新基建”是近期热词之一。国家发改委近来初次清晰新式根底设施的规划———新式根底设施是以新开展理念为引领,以技能立异为驱动,以信息网络为根底,面向高质量开展需要,供应数字转型、智能晋级、交融立异等服务的根底设施系统。“在以5G、物联网、工业互联网等为代表的新基建首要范畴中,第三代半导体均可发挥重要效果。” 北京大学宽禁带半导体研究中心沈波教授介绍道,第三代半导体即宽禁带半导体,以碳化硅和氮化镓为代表,具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优胜功能,是支撑新一代移动通讯、新动力轿车、高速轨迹列车、动力互联网等工业自主立异开展和转型晋级的要点中心资料和电子元器材。沈波解说说,比较于现在在功率半导体范畴仍然占干流位置的传统硅基器材,第三代半导体功率电子器材可使电子和电器设备进一步高效化、小型化、智能化。例如,耐高压、大电流、低损耗的碳化硅基功率电子器材及模块,可大规划使用于智能电网、高速轨迹交通、新动力轿车等范畴;高效率、小体积、中低压的氮化镓基功率电子器材及模块,则可大规划使用于新一代通用电源,如大数据中心、移动通讯基站、物联网终端设备的电源,以及手机、笔记本电脑的电源适配器、无线快充电源等范畴,具有巨大技能优势和商场空间。其间,第三代半导体射频电子器材在民用和军用范畴都已完成规划化使用。尤其是,因为具有高频、高功率、大带宽的功能优势,氮化镓射频电子器材和模块在5G移动通讯基站建造中发挥着不行代替的效果,我国5G建造提速,将触发对氮化镓射频电子器材需求的快速增加。放眼国际,2019年全球半导体工业全体处于低迷期,但第三代半导体技能、产品、商场、出资均出现较高增加态势,龙头企业纷繁加强在第三代半导体范畴的布局,经过调整事务范畴,扩展产能供应,整合并购,增强竞争能力。比较之下,我国第三代半导体功率电子和射频电子工业处于起步阶段,已开始构成从资料、器材到使用的全工业链,但全体技能水平还落后国际顶尖水平3-5年,亟需打破资料、器材、封装及使用等环节的中心要害技能和可靠性、一致性等工程化使用问题。“新基建提速为我国第三代半导体工业开展供应了名贵时机,国内商场对第三代半导体资料和器材的需求快速提高,终端使用企业也在调整供应链,扶持国内企业,此前难以进入供应链的工业链上中游产品将取得下流用户验证时机,进入多个要害厂商供应链。” 第三代半导体工业技能开展战略联盟秘书善于坤山说。近来发布的《第三代半导体工业技能开展陈述(2019年)》猜测,2024年我国第三代半导体电力电子器材使用商场规划将近200亿元,未来5年复合增加率超越40%。面临可贵时机,于坤山主张,我国第三代半导体工业更应兢兢业业,行稳致远。“曩昔几年方针资源很多歪斜,多地将第三代半导体列为要点支撑工业,多措并重吸引项目,也造成了一些低水平的重复。鉴于此,各地在大力支撑工业开展的一起,还需重视和谐、错位开展,做好项目鉴别,结合当地已有工业、人才和资源优势,考虑财务承载力和方针本钱收益率,量体裁衣配套方针。”此外,第三代半导体工业近两年商场高速增加首要得益于国家对半导体工业自主化的大力提倡所取得的本钱进入,以及碳化硅、氮化镓器材在新动力轿车、5G、数据中心等范畴的新使用,但当时经济下行导致消费电子、轿车甚至工业电机等各类产品商场下滑,出口受阻,下流需求萎缩, “职业应苦练内功,不断提高产品功能和竞争力,深挖立异性使用,在拓宽增量商场的一起不断扩展在存量商场的浸透率,促进第三代半导体工业良性、可持续开展,一起还要面临‘为抢占先机超前投入,但商场的发动往往低于预期’这一对立,掌握好工业开展的节奏。”于坤山着重。

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